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SUD50N10-34P-E3-VB实物图
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SUD50N10-34P-E3-VB

1个N沟道 耐压:100V 电流:9.2A

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描述
台积电流片，长电科技封装；是一款单N场效应管，采用Trench工艺制造，提供更高的性能和可靠性。适合用于开关电源、DC-DC转换器和逆变器模块、快速充电桩和直流充电桩模块等领域。TO252；N—Channel沟道,100V；45A；RDS(ON)=18.5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2.5~5V；
品牌名称
VBsemi(微碧半导体)
商品型号
SUD50N10-34P-E3-VB
商品编号
C7463629
商品封装
TO-252​
包装方式
编带
商品毛重
0.370333克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)9.2A
导通电阻(RDS(on))-
耗散功率(Pd)3W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2.5V
栅极电荷量(Qg)38nC@10V
输入电容(Ciss)2.4nF@50V
反向传输电容(Crss)80pF@50V
工作温度-55℃~+175℃

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