温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
Si2377EDS-T1-GE3-VB
1个P沟道 耐压:30V 电流:5.6A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- Si2377EDS-T1-GE3-VB
- 商品编号
- C7463624
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.041867克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 46mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 11.4nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.295nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 130pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 150pF |
相似推荐
其他推荐
- IRF630PBF-VB
- STD95NH02L-1-VB
- IRFI9530GPBF-VB
- IRFU3505PBF-VB
- SUD50N10-34P-E3-VB
- SUD25N06-45L-E3-VB
- STD10NF06LT4-VB
- SQ4917EY-T1-E3-VB
- SI9433DY-T1-E3-VB
- SI4532ADY-T1-E3-VB
- SI4447ADY-T1-GE3-VB
- SI4425BDY-T1-E3-VB
- SI2356DS-T1-GE3-VB
- SI2335DS-T1-E3-VB
- SI2314EDS-T1-E3-VB
- SI1563EDH-T1-GE3-VB
- NDS336P-NL-VB
- IRF7342QTRPBF-VB
- FDS9933A-NL-VB
- FDS8333C-NL-VB
- FDC6420C-NL-VB