STD95NH02L-1-VB

1个N沟道 耐压:30V 电流:100A

描述

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道MOSFET，采用Trench工艺制造，具有高性能、低损耗和稳定性的特点，适用于各种高功率和高频率控制的场合，能够满足电动工具、工业高频电源和电动汽车充电桩等领域的需求。TO251；N—Channel沟道,30V；100A；RDS(ON)=3.5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~2.5V；

品牌名称

VBsemi(微碧半导体)

商品型号

STD95NH02L-1-VB

商品编号

C7463626

商品封装

TO-251​

包装方式

管装

商品毛重

0.4875克(g)