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MTD3055ELT4G-VB实物图
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温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

MTD3055ELT4G-VB

1个N沟道 耐压:60V 电流:18A

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描述
台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应管，采用Trench工艺，具有高性能和稳定的特性，适用于多种应用场景例如电源开关模块、电动汽车充电器模块、工业控制系统模块、LED照明驱动器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,60V；18A；RDS(ON)=73mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；
品牌名称
VBsemi(微碧半导体)
商品型号
MTD3055ELT4G-VB
商品编号
C7463621
商品封装
TO-252​
包装方式
编带
商品毛重
0.372667克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)18A
导通电阻(RDS(on))73mΩ@10V；85mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)41.7W
阈值电压(Vgs(th))3V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)19.8nC@10V
输入电容(Ciss)660pF
反向传输电容(Crss)40pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)85pF

数据手册PDF

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