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FDD2572-NL-VB

1个N沟道 耐压:150V 电流:15.5A

描述
台积电流片,长电科技封装;是一款单N场效应管,采用Trench工艺。适用于低功耗电子设备、电源管理模块、工业控制设备等领域。TO252;N—Channel沟道,150V;25.4A;RDS(ON)=74mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1.5~3V;
商品型号
FDD2572-NL-VB
商品编号
C7463616
商品封装
TO-252​
包装方式
编带
商品毛重
0.374克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)150V
连续漏极电流(Id)15.5A
导通电阻(RDS(on))-
耗散功率(Pd)3.1W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1.5V
栅极电荷量(Qg)23nC@10V
输入电容(Ciss)1.735nF@50V
反向传输电容(Crss)37pF@50V
工作温度-55℃~+150℃

数据手册PDF

交货周期

订货9-11个工作日

购买数量

(1个/圆盘,最小起订量 1 个)
起订量:1 个1个/圆盘

总价金额:

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