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FDD2572-NL-VB
1个N沟道 耐压:150V 电流:25.4A
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描述
台积电流片，长电科技封装；是一款单N场效应管，采用Trench工艺。适用于低功耗电子设备、电源管理模块、工业控制设备等领域。TO252；N—Channel沟道,150V；25.4A；RDS(ON)=74mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~3V；
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
FDD2572-NL-VB商品编号
C7463616商品封装
TO-252包装方式
编带
商品毛重
0.374克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 连续漏极电流(Id) | 25.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 74mΩ@10V |
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