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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

FDD2572-NL-VB

1个N沟道 耐压:150V 电流:15.5A

描述
台积电流片,长电科技封装;是一款单N场效应管,采用Trench工艺。适用于低功耗电子设备、电源管理模块、工业控制设备等领域。TO252;N—Channel沟道,150V;25.4A;RDS(ON)=74mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=1.5~3V;
商品型号
FDD2572-NL-VB
商品编号
C7463616
商品封装
TO-252​
包装方式
编带
商品毛重
0.374克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)150V
连续漏极电流(Id)15.5A
导通电阻(RDS(on))-
耗散功率(Pd)3.1W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1.5V
栅极电荷量(Qg)23nC@10V
输入电容(Ciss)1.735nF
反向传输电容(Crss)37pF
工作温度-55℃~+150℃

商品特性

  • 符合 IEC 61249-2-21 定义的无卤要求
  • 极低的 Qqd,可降低开关损耗
  • 100%进行 Rg 测试
  • 100%进行雪崩测试
  • 符合 RoHS 指令 2002/95/EC

应用领域

-初级侧开关

数据手册PDF