温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
AO4618-JSM
1个N沟道+1个P沟道 耐压:40V 电流:8A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷下提供优异的Rps(on)，可应用于多种应用领域。
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- AO4618-JSM
- 商品编号
- C7462819
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.118克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 53mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 850pF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
CS8N65 ARR是采用自对准平面技术制造的硅N沟道增强型VDMOSFET，可降低导通损耗，提高开关性能并增强雪崩能量。该晶体管可用于各种功率开关电路，以实现系统小型化和更高的效率。其封装形式为TO - 262，符合RoHS标准。
商品特性
- N沟道:VDS = 40 V,ID = 8 A,在VGS = 10 V时,RDS(ON) < 22 mΩ
- P沟道:VDS = -40 V,ID = -6 A,在VGS = -10 V时,RDS(ON) < 53 mΩ
- 低栅极电荷。
- 有环保型器件可供选择。
- 采用先进的高单元密度沟槽技术,实现极低的导通电阻RDS(ON)。
- 采用散热性能良好的封装。
应用领域
- 适配器和充电器的功率开关电路。