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SIR662DP-T1-GE3-JSM
1个N沟道 耐压:60V 电流:130A
- 描述
- 应用于电源转换、电机驱动等领域，提供出色的开关性能和稳定的功率管理方案。
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- SIR662DP-T1-GE3-JSM
- 商品编号
- C7462820
- 商品封装
- DFN5060-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.142克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 130A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3mΩ@10V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 140W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 66.1nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.377nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 77.7pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的漏源导通电阻（RDS(on)）。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 60 V，漏极电流（ID） = 130 A，在栅源电压（VGS） = 10 V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 3 mΩ
- 低栅极电荷。
- 有环保型器件可供选择。
- 采用先进的高单元密度沟槽技术，实现超低漏源导通电阻（RDS(ON)）。
- 封装散热性能良好。