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BSS131 H6327-JSM
1个N沟道 耐压:250V 电流:0.1A
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- 描述
- N沟道 100mA 240V
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- BSS131 H6327-JSM
- 商品编号
- C7462831
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.032233克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 250V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.4Ω | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 650pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
NCE60P04SN采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件非常适合用作负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = -60V，漏极电流ID = -4A
- 当栅源电压VGS = -10V时，导通电阻RDS(ON) < 120 mΩ
- 当栅源电压VGS = -4.5V时，导通电阻RDS(ON) < 170 mΩ
- 高密度单元设计，实现超低导通电阻Rdson
- 雪崩电压和电流特性完全表征
- 散热性能良好的出色封装
应用领域
- 负载开关-PWM应用