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BSS215P-JSM
1个P沟道 耐压:20V 电流:3A
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- 描述
- 适用于各类小型电子设备，提供高效、稳定的开关与功率转换性能。
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- BSS215P-JSM
- 商品编号
- C7462823
- 商品封装
- SOT-23-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.034167克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 120mΩ@2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 450mV | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
该系列器件采用先进的沟槽栅极超结技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的 RDS(on)。这款超结 MOSFET 满足行业对功率因数校正 (PFC)、AC/DC 电源转换和工业电源应用的 AC-DC 开关电源 (SMPS) 要求。
商品特性
- -20V/-3A,在VGS = -4.5V时,RDS(ON) = 100mΩ(最大值)
- 在VGS = -2.5V时,RDS(ON) = 120mΩ(最大值)
- 超高密度单元设计,实现极低的RDS(ON)
- 可靠耐用
- 采用SOT - 23表面贴装封装
应用领域
- 电源管理
- 便携式设备和电池供电系统