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AO4818-JSM
2个N沟道 耐压:30V 电流:8A
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- 描述
- 应用于电脑、DC/DC转换器的电源管理等等。
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- AO4818-JSM
- 商品编号
- C7462825
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1155克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 23mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.7W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.9V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 14nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 780pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 57pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
PTFC262157SH LDMOS场效应晶体管专为2620 MHz至2690 MHz频段的多尔蒂蜂窝功率应用而设计。作为多尔蒂放大器中的峰值侧晶体管，其输入和输出匹配已针对最大性能进行了优化。其他特性包括带有表面贴装法兰的热增强型封装。该器件采用英飞凌先进的LDMOS工艺制造，具有出色的热性能和卓越的可靠性。
商品特性
- 30V/8A
- 当VGS = 10V时,RDS(ON) = 17 mΩ(最大值)
- 当VGS = 4.5V时,RDS(ON) = 24 mΩ(最大值)
- 可靠耐用
- 提供无铅环保器件(符合RoHS标准)
- 经过100%单脉冲雪崩能量测试
应用领域
- 笔记本电脑、便携式设备和电池供电系统的电源管理。