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AM20N06-90D-T1-PF-JSM
1个N沟道 耐压:60V 电流:20A
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- 描述
- 应用于电源转换、电机驱动等场合，提供卓越的开关性能和稳定可靠的功率管理方案。
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- AM20N06-90D-T1-PF-JSM
- 商品编号
- C7462821
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.395克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 36mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 31W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.15nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 45.3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
NCE20P10J采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在不同栅极电压下工作。该器件适用于负载开关应用及其他多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压(VDS) = 60 V,漏极电流(ID) = 20 A,当栅源电压(VGS) = 10 V时,导通电阻(RDS(ON)) < 36 mΩ
- 低栅极电荷
- 提供环保型器件
- 采用先进的高单元密度沟槽技术,实现超低导通电阻(RDS(ON))
- 封装散热性能出色
应用领域
- 脉宽调制（PWM）应用
- 负载开关
- 手机电池充电