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CMD046N08
1个N沟道 耐压:80V 电流:90A
- 描述
- 046N08采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下仍能提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于各种应用场合。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMD046N08
- 商品编号
- C7427435
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.3855克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 90A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.6mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 150W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 输入电容(Ciss) | 4nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 200pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |