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CMSA6N70
1个N沟道 耐压:700V 电流:6A
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- 描述
- CMSA6N70是一款采用Cmos先进超结技术的功率MOSFET，可实现极低的导通电阻。这些便于使用的器件不仅能为设计师带来低电磁干扰（EMI）的优势，还具备低开关损耗的特点。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMSA6N70
- 商品编号
- C7427452
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1455克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 700V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.5Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 78W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 400pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.15pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 50pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±30V |
商品概述
CMSA6N70是一款采用Cmos先进超结技术的功率MOSFET,可实现极低的导通电阻。这些用户友好型器件不仅能降低开关损耗,还能为设计师带来低电磁干扰(EMI)的优势。
商品特性
- 低导通电阻
- 100%雪崩测试
- 表面贴装封装
- 符合ROHS标准
应用领域
- 开关电源(SMPS)反激式电路
- 充电器、适配器、照明设备
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