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CMSA6N70
1个N沟道 耐压:700V 电流:6A
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- 描述
- CMSA6N70是一款采用Cmos先进超结技术的功率MOSFET，可实现极低的导通电阻。这些便于使用的器件不仅能为设计师带来低电磁干扰（EMI）的优势，还具备低开关损耗的特点。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMSA6N70
- 商品编号
- C7427452
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1455克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 700V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.5Ω@10V,3A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 78W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 低导通电阻（RDS(ON)），实现高效率
- 低栅极电荷，实现高速开关
- 高单脉冲雪崩能量（EAS），确保高可靠性
- 100%进行非钳位感性开关（UIS）和栅极电阻（RG）测试
应用领域
- 交流/直流转换器
- 适配器和充电器
- LED驱动器
- 高频电路和开关电源
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