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WSF90N10
1个N沟道 耐压:100V 电流:90A
- 描述
- 是高性能沟槽N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻RDSON和栅极电荷。符合RoHS和绿色产品要求，100%保证雪崩耐量，具备完整功能可靠性认证。
- 品牌名称
- WINSOK(微硕)
- 商品型号
- WSF90N10
- 商品编号
- C7427494
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.3568克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 90A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6mΩ@10V,15A | |
| 耗散功率(Pd) | 104W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 43nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.4nF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 60pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 355pF |
商品特性
- 先进沟槽 MOSFET 技术
- 低导通电阻 RDS(ON)
- 超低栅极电荷
- 符合 RoHS 标准
- 100% 进行了非钳位感性开关（UIS）和栅极电阻（RG）测试
- 高功率和电流处理能力
应用领域
- PD 充电器 V-BUS
- 开关电源（SMPS）二次侧同步整流器
- 主板/显卡核心电压（MB/VGA Vcore）
- 无刷直流（BLDC）电机驱动器
- 负载点（POL）应用
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