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CMU06N03
1个N沟道 耐压:30V 电流:80A
- 描述
- 06N03 是性能最高的沟槽 N 沟道 MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻 (RDSON) 和栅极电荷。06N03 符合 RoHS 和绿色产品要求，100% EAS 保证，并已通过全功能可靠性认证。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMU06N03
- 商品编号
- C7427454
- 商品封装
- TO-251
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.57克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.2mΩ | |
| 耗散功率(Pd) | 65W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 20.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.361nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 237pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 315pF |
商品概述
SM3113N是高性能沟槽N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。
商品特性
- 低导通电阻
- 改善的dv/dt能力
- 100%保证耐雪崩能力
- 符合RoHS标准
应用领域
- 用于移动电脑（MB）、笔记本电脑（NB）、超便携个人电脑（UMPC）、视频图形阵列（VGA）的高频负载点同步降压转换器
- 网络直流-直流电源系统
- 负载开关