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CMP55NF06
1个N沟道 耐压:40V 电流:60A
- 描述
- 这款N沟道MOSFET采用先进的功率沟槽技术制造，可实现低导通电阻RDS(on)和优化的漏源击穿电压BVDSS能力，从而在应用中提供卓越的性能优势。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMP55NF06
- 商品编号
- C7427443
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.68克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14mΩ |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 63W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 150pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
5N20A采用先进的沟槽技术和设计，具备低导通电阻、高开关性能和出色的品质。这些器件非常适合开关电源（SMPS）、高强度气体放电灯（HID）及通用应用。
商品特性
- 60A,40V。RDS(ON)=14Ω(VGS=10V时)
- 快速开关
- N沟道增强模式
- 经过100%雪崩测试
应用领域
- 电源
- DC-DC和DC-AC转换器
- 逆变器