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CMSA055N06
1个N沟道 耐压:60V 电流:90A
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- 描述
- CMSA055N06采用先进技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适合用作低端通用场效应晶体管（FET）。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMSA055N06
- 商品编号
- C7427445
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.143克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 90A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.1mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 100W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 26nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.7nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 80pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 750pF |
商品概述
CMN3401ZM采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 在VGS = -10V时，RDS(ON) < 50mΩ
- 在VGS = -4.5V时，RDS(ON) < 60mΩ
- 驱动要求简单
- 表面贴装封装
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 电源管理
- 功率放大器开关