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CMSA5020
1个N沟道 耐压:200V 电流:25A
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- 描述
- CMSA5020采用先进技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于作为开关电源（SMPS）中的低端场效应晶体管（FET）、负载开关及通用用途。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMSA5020
- 商品编号
- C7427450
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1445克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 25A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 65mΩ@10V,15A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 90W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.8nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 105pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的功率沟槽技术制造，可实现低导通电阻RDS(on)和优化的BVDSS能力，在应用中提供卓越的性能优势。
商品特性
- 60A，40V。RDS(ON)=14Ω（VGS=10V时）
- 快速开关
- N沟道增强模式
- 经过100%雪崩测试
应用领域
- 电源
- DC-DC和DC-AC转换器
- 逆变器