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CMD100P03D
1个P沟道 耐压:30V 电流:90A
- 描述
- 这些P沟道增强型功率场效应晶体管采用先进的沟槽技术和设计，以提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMD100P03D
- 商品编号
- C7427436
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 3.83克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 90A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.4mΩ | |
| 耗散功率(Pd) | 90W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 64nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.8nF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | 30pF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- 先进沟槽单元设计
- 极低阈值电压
- VD ≤ -30 V
- 当VGS = -10 V时，RDS(ON) ≤ 54 mΩ
- 当VGS = -4.5 V时，RDS(ON) ≤ 72 mΩ
- 当VGS = -2.5 V时，RDS(ON) ≤ 120 mΩ
应用领域
- 便携式设备
- 电池管理
- 高速开关