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CMP482实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

CMP482

1个N沟道 耐压:80V 电流:105A

描述
482采用DMOS沟槽技术制造,该技术将出色的RDS(ON)与低栅极电荷和低Qrr相结合。其结果是在可控的开关特性下实现了卓越的效率。这种通用技术非常适用于PWM、负载开关和通用应用
商品型号
CMP482
商品编号
C7427442
商品封装
TO-220​
包装方式
管装
商品毛重
2.736克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)80V
连续漏极电流(Id)105A
导通电阻(RDS(on))6.5mΩ@10V,25A
属性参数值
耗散功率(Pd)330W
阈值电压(Vgs(th))2V
输入电容(Ciss)4.4nF@25V
反向传输电容(Crss)220pF@25V
工作温度-55℃~+175℃

商品概述

CMSA1653采用先进的沟槽技术,可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷,并将功率转换应用中的损耗降至最低。该器件适用于开关电源(SMPS)、负载开关和通用应用中的低端场效应晶体管(FET)。

商品特性

  • 低导通电阻
  • 100%雪崩测试
  • 小尺寸封装(5x6mm),便于紧凑设计
  • 符合RoHS标准

应用领域

  • 计算机、服务器和负载点(POL)中的DC/DC转换器
  • 电信和工业领域的隔离式DC/DC转换器

数据手册PDF