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CMN3401ZM
1个P沟道 耐压:30V 电流:4A
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- 描述
- CMN3401ZM采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并且能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMN3401ZM
- 商品编号
- C7427441
- 商品封装
- SOT-23-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0325克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 50mΩ | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 800pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款650V高压超结MOSFET实现了超低导通电阻和栅极电荷。由于开关性能和传导性能之间的出色平衡，GBS65060在谐振开关拓扑中具有很高的效率。 超快恢复体二极管使GBS65060适用于高开关频率应用，并支持高功率密度应用。GBS65060采用TO - 247封装。
商品特性
- 650V击穿电压
- 超低导通电阻（RDS - ON）和品质因数（FOM）
- 超快体二极管
- 快速开关
应用领域
- 服务器电源-电信电源-电动汽车充电器-电机驱动器