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CMD8972A
1个N沟道 耐压:20V 电流:80A
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- 描述
- 8972A采用创新封装技术，可实现出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于多种应用场景。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMD8972A
- 商品编号
- C7427438
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.382克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@50A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 沟槽功率中压MOSFET技术
- 电压控制小信号开关
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 低输入/输出泄漏电流
应用领域
- 电池供电系统
- 固态继电器
- 直接逻辑电平接口：TTL/CMOS