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MSG40T65HPC0

650V 40A

描述
特性:高速开关和低功率损耗。 集电极-发射极饱和电压 VCE(sat) = 1.95V(集电极电流 IC = 40A 时)。 关断损耗 Eoff = 0.35mJ(壳温 TC = 25℃ 时)。 高输入阻抗。 反向恢复时间 Trr = 80ns(典型值)(电流变化率 diF / dt = 1000A / μs 时)。 最大结温 Tjmax = 175℃。应用:不间断电源(UPS)。 功率因数校正(PFC)
商品型号
MSG40T65HPC0
商品编号
C7424062
商品封装
TO-247​
包装方式
管装
商品毛重
7.786667克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录IGBT管/模块
集射极击穿电压(Vces)650V
集电极电流(Ic)40A
耗散功率(Pd)375W
输出电容(Coes)131pF
集射极饱和电压(VCE(sat))2.4V@40A,15V
栅极阈值电压(Vge(th))4.8V@0.58mA
栅极电荷量(Qg)219nC@15V
属性参数值
输入电容(Cies)2.818nF
开启延迟时间(Td(on))58ns
关断延迟时间(Td(off))245ns
导通损耗(Eon)1.15mJ
关断损耗(Eoff)350uJ
反向恢复时间(Trr)80ns
工作温度-40℃~+175℃
反向传输电容(Cres)209pF

数据手册PDF