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MS3N100HGT1实物图
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MS3N100HGT1

耐压:1000V 电流:3A

描述
高压MOS管 单管
商品型号
MS3N100HGT1
商品编号
C7424085
商品封装
TO-220F​
包装方式
管装
商品毛重
2.922克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)1kV
连续漏极电流(Id)3A
导通电阻(RDS(on))5.2Ω@10V
耗散功率(Pd)74W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4V
栅极电荷量(Qg)12nC
输入电容(Ciss)390pF
反向传输电容(Crss)5.5pF
工作温度-55℃~+175℃
输出电容(Coss)45pF

商品特性

  • 低栅极电荷(典型值22nC)
  • 低Crss(典型值10pF)
  • 100%雪崩测试
  • 快速开关
  • 改进的dv/dt能力
  • TO-252 G封装

应用领域

  • 开关应用

数据手册PDF