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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

MS200N20IDC0

耐压:200V 电流:200A

描述
特性:VDS = 200V, ID = 200A。 RDS(on) = 10mΩ。 高密度单元设计,实现超低导通电阻。 100%雪崩测试。 低栅极电荷。应用:开关电源中的高效同步整流。 不间断电源
商品型号
MS200N20IDC0
商品编号
C7424113
商品封装
TO-247​
包装方式
管装
商品毛重
6.123333克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)200V
连续漏极电流(Id)200A
导通电阻(RDS(on))10mΩ@10V
耗散功率(Pd)350W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2.5V
栅极电荷量(Qg)150nC@10V
输入电容(Ciss)10.5nF
反向传输电容(Crss)150pF
工作温度-55℃~+175℃

商品特性

  • 漏源电压(VDS) = 200 V,漏极电流(ID) = 200 A
  • 导通电阻(RDS(on)) = 10 mΩ
  • 采用高密度单元设计,实现极低的导通电阻(Rdson)
  • 经过100%雪崩测试
  • 栅极电荷低

应用领域

  • 开关电源(SMPS)中的高效同步整流
  • 不间断电源(UPS)
  • 高速功率开关
  • 硬开关和高频电路

数据手册PDF