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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

MS13N20HGD0

1个N沟道 耐压:200V 电流:13A

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商品型号
MS13N20HGD0
商品编号
C7424119
商品封装
TO-252​
包装方式
编带
商品毛重
0.386667克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)200V
连续漏极电流(Id)13A
导通电阻(RDS(on))120mΩ@10V,6.5A
属性参数值
耗散功率(Pd)140W
阈值电压(Vgs(th))4V
栅极电荷量(Qg)42nC@160V
输入电容(Ciss)-
工作温度-55℃~+175℃

商品特性

  • 低栅极电荷
  • 低Crss(典型值25pF)
  • 快速开关
  • 100%雪崩测试
  • 改善的dv/dt能力
  • 符合RoHS标准的产品

应用领域

  • 高效开关模式电源
  • 基于半桥的电子灯镇流器
  • 不间断电源(UPS)

数据手册PDF