立创商城logo
购物车0
MS13N20HGD0实物图
  • MS13N20HGD0商品缩略图
  • MS13N20HGD0商品缩略图
  • MS13N20HGD0商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

MS13N20HGD0

1个N沟道 耐压:200V 电流:13A

SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
商品型号
MS13N20HGD0
商品编号
C7424119
商品封装
TO-252​
包装方式
编带
商品毛重
0.386667克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)200V
连续漏极电流(Id)13A
导通电阻(RDS(on))120mΩ@10V
耗散功率(Pd)140W
阈值电压(Vgs(th))4V
栅极电荷量(Qg)42nC@160V
属性参数值
输入电容(Ciss)1.001nF
反向传输电容(Crss)25pF
工作温度-55℃~+175℃
配置独立式
类型N沟道
输出电容(Coss)173pF
栅极电压(Vgs)±30V

数据手册PDF