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MS170N25HGF4实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

MS170N25HGF4

五件套 1个N沟道 耐压:250V 电流:170A

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描述
低压大电流MOSFET
商品型号
MS170N25HGF4
商品编号
C7424112
商品封装
SOT-227​
包装方式
盒装
商品毛重
40.54克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)250V
连续漏极电流(Id)170A
导通电阻(RDS(on))19.5mΩ@10V,35A
属性参数值
耗散功率(Pd)860W
栅极电荷量(Qg)360nC@125V
输入电容(Ciss)23nF@25V
工作温度-55℃~+150℃

商品特性

  • 漏源电压(VDS) = 1000 V,漏极电流(ID) = 30 A
  • 导通电阻(RDS(on)) < 0.38 Ω
  • 经过雪崩测试并进行电流额定
  • 快速本征整流器

应用领域

  • 高功率密度
  • 易于安装
  • 节省空间

数据手册PDF