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MS10N120HGT1实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

MS10N120HGT1

耐压:1.2kV 电流:10A

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描述
超高压MOSFET
商品型号
MS10N120HGT1
商品编号
C7424081
商品封装
TO-220F​
包装方式
管装
商品毛重
2.938克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)1.2kV
连续漏极电流(Id)10A
导通电阻(RDS(on))2Ω@10V
耗散功率(Pd)67.9W
阈值电压(Vgs(th))5.5V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)41nC@10V
输入电容(Ciss)1.871nF
反向传输电容(Crss)9pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)153pF

商品特性

  • VDS = 1200 V,ID = 10 A
  • 在VGS = 10 V时,RDS(on) < 2 Ω
  • 采用高密度单元设计,实现超低Rdson
  • 栅极电荷低
  • 改善了dv/dt能力
  • 符合RoHS标准的产品

应用领域

-高压开关模式和谐振模式电源-高压脉冲电源应用-激光脉冲发生器、火花点火器、射频发生器中的高压放电电路-高压DC-DC转换器-高压DC-AC逆变器

数据手册PDF