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MS35N120HGF4实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

MS35N120HGF4

5件套 1个N沟道 耐压:1.2kV 电流:35A

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描述
超高压MOS管
商品型号
MS35N120HGF4
商品编号
C7424083
商品封装
SOT-227​
包装方式
管装
商品毛重
44.5克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)1.2kV
连续漏极电流(Id)35A
导通电阻(RDS(on))462mΩ@10V
耗散功率(Pd)900W
阈值电压(Vgs(th))3.7V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)360nC@10V
输入电容(Ciss)23nF
反向传输电容(Crss)75pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)1.153nF

商品特性

  • 低栅极电荷
  • 低Crss(典型值15pF)
  • 快速开关
  • 100%雪崩测试
  • 改善的dv/dt能力
  • 符合RoHS标准的产品

应用领域

  • 高频开关模式电源
  • 基于半桥的电子镇流器
  • LED电源

数据手册PDF