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MSG40T65HNC0

650V 40A

描述
特性:高速开关和低功率损耗。 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):在集电极电流(IC)为 40A 时为 1.95V。 关断损耗(Eoff):在壳温(TC)为 25℃ 时为 0.35mJ。 高输入阻抗。 反向恢复时间(Trr):典型值 80ns,在电流变化率(diF/dt)为 1000A/μs 时。 最大结温(Tjmax):175℃。应用:不间断电源(UPS)。 功率因数校正(PFC)
商品型号
MSG40T65HNC0
商品编号
C7424063
商品封装
TO-247​
包装方式
管装
商品毛重
7.703333克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录IGBT管/模块
集射极击穿电压(Vces)650V
集电极电流(Ic)40A
耗散功率(Pd)375W
输出电容(Coes)131pF
集射极饱和电压(VCE(sat))2.4V@40A,15V
栅极阈值电压(Vge(th))4V@0.58mA
栅极电荷量(Qg)219nC@15V
属性参数值
输入电容(Cies)2.818nF
开启延迟时间(Td(on))58ns
关断延迟时间(Td(off))245ns
导通损耗(Eon)1.15mJ
关断损耗(Eoff)350uJ
反向恢复时间(Trr)80ns
工作温度-40℃~+175℃
反向传输电容(Cres)209pF

数据手册PDF