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BSS138PS
2个N沟道 耐压:55V 电流:0.3A
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- 描述
- MOS管 类型：2个N沟道 漏源电压(Vdss)：55V 连续漏极电流(Id)：300mA 功率(Pd)：280mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.2Ω@10V,300mA
- 品牌名称
- MSKSEMI(美森科)
- 商品型号
- BSS138PS
- 商品编号
- C7379944
- 商品封装
- SOT-363
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.033467克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 55V | |
| 连续漏极电流(Id) | 300mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.2Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 280mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 30.6pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5.5pF | |
| 工作温度 | -50℃~+150℃ |
商品概述
TP65H150G4LSG 650V、150mΩ氮化镓（GaN）场效应晶体管（FET）是一款常关型器件。它结合了先进的高压GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）和低压硅MOSFET技术，具有卓越的可靠性和性能。 第四代SuperGaN平台采用先进的外延和专利设计技术，简化了制造工艺，同时通过降低栅极电荷、输出电容、交越损耗和反向恢复电荷，提高了相对于硅器件的效率。
商品特性
- 55V、0.3A,VGS = 10V时RDS(ON) = 1.2Ω
- 改善的dv/dt能力
- 快速开关
- 提供绿色环保器件
- 内置G-S ESD保护二极管
- ESD防护能力高达2KV
应用领域
- 电机驱动
- 电动工具
- LED照明