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SIHP12N65E-GE3

1个N沟道耐压:650V 电流:12A

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品牌名称: VISHAY(威世)
商品型号: SIHP12N65E-GE3
商品编号: C7363762
商品封装: TO-220AB
包装方式: 管装
商品毛重: 2.718克(g)

商品参数

商品概述

第三代功率MOSFET为设计人员提供了快速开关、耐用器件设计、低导通电阻和高性价比的最佳组合。 D²PAK（TO - 263）是一种表面贴装功率封装，能够容纳高达HEX - 4尺寸的芯片。它在现有的任何表面贴装封装中提供了最高的功率能力和尽可能低的导通电阻。由于其内部连接电阻低，D²PAK（TO - 263）适用于大电流应用，并且在典型的表面贴装应用中可散热达2.0 W。

商品特性

表面贴装，提供卷带包装
动态dV/dt额定值
重复雪崩额定值
P沟道
175°C工作温度
快速开关

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	650V
	连续漏极电流(Id)	12A
	导通电阻(RDS(on))	380mΩ@10V,6A

	属性	参数值
	耗散功率(Pd)	156W
	阈值电压(Vgs(th))	4V
	栅极电荷量(Qg)	70nC@10V
	输入电容(Ciss)	1.224nF@100V
	工作温度	-55℃~+150℃@(Tj)