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DMN1029UFDB-7
2个N沟道 耐压:12V 电流:5.6A
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- 描述
- 该MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN1029UFDB-7
- 商品编号
- C780826
- 商品封装
- UDFN2020-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.022克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 65mΩ@1.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 914pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 119pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻RDS(ON),同时保持出色的开关性能,非常适合高效电源管理应用。
商品特性
-低导通电阻-低输入电容-薄型设计,最大高度0.6mm-完全无铅,完全符合RoHS标准-无卤素和锑,“绿色”器件
应用领域
-负载开关-电源管理功能-便携式电源适配器