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DMP10H400SEQ-13实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

DMP10H400SEQ-13

1个P沟道 耐压:100V

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描述
该MOSFET旨在满足汽车应用的严格要求。它符合AEC-Q101标准,并支持PPAP。
品牌名称
DIODES(美台)
商品型号
DMP10H400SEQ-13
商品编号
C780836
商品封装
SOT-223​
包装方式
编带
商品毛重
0.181克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)-
导通电阻(RDS(on))300mΩ@4.5V,5A
耗散功率(Pd)2W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))-
栅极电荷量(Qg)17.5nC
输入电容(Ciss)1.239nF@25V
反向传输电容(Crss)28pF@25V
工作温度-55℃~+150℃

商品概述

这款MOSFET专为满足汽车应用的严格要求而设计。它符合AEC-Q101标准,具备生产件批准程序(PPAP)支持,非常适合用于发动机管理系统、车身控制电子设备和DC-DC转换器。

商品特性

  • 低栅极驱动
  • 低输入电容
  • 快速开关速度
  • 完全无铅,完全符合RoHS标准
  • 无卤素和锑,“绿色”器件
  • 符合AEC-Q101高可靠性标准
  • 具备生产件批准程序(PPAP)能力

应用领域

  • 发动机管理系统-车身控制电子设备-DC-DC转换器

数据手册PDF