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DMP2012SN-7实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

DMP2012SN-7

1个P沟道 耐压:20V 电流:900mA

品牌名称
DIODES(美台)
商品型号
DMP2012SN-7
商品编号
C780837
商品封装
SC-59​
包装方式
编带
商品毛重
0.032克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)900mA
导通电阻(RDS(on))300mΩ@4.5V
属性参数值
耗散功率(Pd)500mW
阈值电压(Vgs(th))1.2V
输入电容(Ciss)178.5pF
工作温度-55℃~+150℃

商品概述

这款MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻,同时保持卓越的开关性能,使其非常适合高效电源管理应用。

商品特性

-低导通电阻-低栅极阈值电压-低输入电容-快速开关速度-栅极具备ESD保护-完全无铅且完全符合RoHS标准-无卤素和锑,“绿色”器件

应用领域

-DC-DC转换器-电源管理功能

数据手册PDF