DMP2012SN-7
1个P沟道 耐压:20V 电流:900mA
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMP2012SN-7
- 商品编号
- C780837
- 商品封装
- SC-59
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.032克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 900mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 300mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 500mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 输入电容(Ciss) | 178.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻,同时保持卓越的开关性能,使其非常适合高效电源管理应用。
商品特性
-低导通电阻-低栅极阈值电压-低输入电容-快速开关速度-栅极具备ESD保护-完全无铅且完全符合RoHS标准-无卤素和锑,“绿色”器件
应用领域
-DC-DC转换器-电源管理功能
