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DMP6023LFG-13实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

DMP6023LFG-13

1个P沟道 耐压:60V 电流:7.7A

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描述
该MOSFET旨在最小化导通电阻 (RDS(ON)),同时保持出色的开关性能,非常适合高效电源管理应用。
品牌名称
DIODES(美台)
商品型号
DMP6023LFG-13
商品编号
C780842
商品封装
PowerDI3333-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.088克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)7.7A
导通电阻(RDS(on))33mΩ@4.5V,4A
耗散功率(Pd)2.1W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))3V
栅极电荷量(Qg)53.1nC@10V
输入电容(Ciss)2.569nF@30V
反向传输电容(Crss)143pF@30V
工作温度-55℃~+150℃

商品特性

-针对逻辑电平驱动进行优化-在4.5 V VGS下具有极低的RDS(ON)-在4.5 V VGS下具有出色的R*Q-改善了栅极、雪崩和动态dV/dt鲁棒性-全面表征了电容和雪崩安全工作区-增强了体二极管的dV/dt和dI/dt能力-无铅

应用领域

-直流电机驱动-开关电源中的高效同步整流-不间断电源-高速功率开关-硬开关和高频电路

数据手册PDF