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DMN62D0UDW-7
2个N沟道 耐压:60V 电流:350mA
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- 描述
- 此MOSFET旨在最大程度降低导通电阻 (RDS(on))，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN62D0UDW-7
- 商品编号
- C781251
- 商品封装
- SOT-363
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.029克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 350mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2Ω@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 320mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 500pC | |
| 输入电容(Ciss) | 32pF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.4pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款MOSFET旨在最小化导通电阻 RDS(on)，同时保持卓越的开关性能，使其非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 双N沟道MOSFET-低导通电阻-低栅极阈值电压-低输入电容-快速开关速度-低输入/输出泄漏电流-超小型表面贴装封装-栅极具备ESD保护-完全无铅且符合RoHS标准-无卤素和锑,“绿色”器件-另有符合汽车应用标准的型号(DMN62D0UDWQ),数据手册单独提供-该器件符合JEDEC标准(参考AEC-Q),具备高可靠性
应用领域
- 电机控制-电源管理功能