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ZXMP3F30FHTA
1个P沟道 耐压:30V 电流:4A
- 描述
- 这款新一代沟槽式 MOSFET 旨在最大限度地降低导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- ZXMP3F30FHTA
- 商品编号
- C780915
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.048克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 80mΩ@10V,4A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 370pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 38pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款新一代沟槽 MOSFET 的设计旨在最小化导通电阻 RDS(on)，同时保持卓越的开关性能。
商品特性
- 低导通电阻
- 快速开关速度
- 4.5V 栅极驱动能力
- 热性能增强型 SOT23 封装
- 完全无铅且完全符合 RoHS 标准
- 无卤素和锑，“绿色”器件
- 该器件符合 JEDEC 标准（参考 AEC-Q），具备高可靠性
应用领域
- 电源管理功能
- 便携式设备
- 电池充电
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