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MMBT3906LP-7B
PNP 电流:200mA 电压:40V
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- 描述
- 特性：BVCEO > -40V。 高集电极电流：IC = -200mA。 功耗：PD = 1000mW。 封装尺寸：0.60mm²，比SOT23小13倍。 封装高度：0.5mm，可减少板外轮廓。 互补NPN型。 完全无铅，完全符合RoHS标准。 无卤素和锑，环保器件
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- MMBT3906LP-7B
- 商品编号
- C780859
- 商品封装
- DFN-3(1x0.6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.027克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 集电极电流(Ic) | 200mA | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 40V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 直流电流增益(hFE) | 100 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 特征频率(fT) | 300MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 50nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 250mV | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 6V | |
| 数量 | 1个PNP |
商品特性
- 集电极 - 发射极击穿电压（BVCEO）> -40V
- 集电极电流（IC）= -200 mA，高集电极电流
- 功率耗散（PD）= 1000 mW
- 封装占位面积 0.60 mm²，比 SOT23 小 13 倍
- 封装高度 0.5mm，最大限度降低板外轮廓
- 互补 NPN 型 DIODES™ MMBT3904LP
- 完全无铅且完全符合 RoHS 标准
- 无卤素和锑，“绿色”器件