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DMN33D8LT-13
1个N沟道 耐压:30V 电流:250mA
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- 描述
- 新一代MOSFET经过设计，可在保持卓越开关性能的同时，将导通电阻 (RDS(ON)) 降至最低，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN33D8LT-13
- 商品编号
- C780833
- 商品封装
- SOT-523
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.04克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 250mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.2nC | |
| 输入电容(Ciss) | 50pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
优惠活动
购买数量
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