温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
DMN2040LTS-13
双N沟道增强型MOSFET
- 描述
- 特性：双N沟道MOSFET。 低导通电阻。 低栅极阈值电压。 低输入电容。 快速开关速度。 低输入/输出泄漏。 无铅设计/符合RoHS标准。 “绿色”器件。 符合AEC-Q101标准，可靠性高
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN2040LTS-13
- 商品编号
- C780828
- 商品封装
- TSSOP-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.139483克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 19mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 890mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 5.2nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 570pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 75pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 85pF |
商品特性
-双N沟道MOSFET-低导通电阻-低栅极阈值电压-低输入电容-快速开关速度-低输入/输出泄漏电流-无铅设计/符合RoHS标准-“绿色”器件-符合AEC-Q101高可靠性标准