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DMN21D2UFB-7
1个N沟道 耐压:20V 电流:760mA
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- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN21D2UFB-7
- 商品编号
- C780829
- 商品封装
- X1-DFN1006-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.027克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 760mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 990mΩ@4.5V,760mA | |
| 耗散功率(Pd) | 380mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 410pC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 27.6pF@16V | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.8pF@16V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
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