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DMG7410SFG-13
1个N沟道 耐压:30V 电流:8A
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- 描述
- 低RDS(ON)——确保导通状态损耗最小化。小尺寸、热效率高的封装形式可实现更高密度的终端产品。仅占用SO - 8封装电路板面积的33%，使终端产品体积更小
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMG7410SFG-13
- 商品编号
- C780825
- 商品封装
- POWERDI3333-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.098克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 580pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 70pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 采用CRM（CQ）先进沟槽技术
- 极低导通电阻RDS(on)
- 出色的Qg × RDS(on)乘积（品质因数FOM）
- 符合JEDEC标准
应用领域
-电机控制与驱动-电池管理-不间断电源(UPS)