SIHW61N65EF-GE3
1个N沟道 耐压:650V 电流:64A
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIHW61N65EF-GE3
- 商品编号
- C7316206
- 商品封装
- TO-247AD
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.562克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 41A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 47mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 520W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 371nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.407nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 采用E系列技术的快速体二极管MOSFET
- 降低 trr、Qrr 和 IRRM
- 低品质因数(FOM)R\text on x Q\text g
- 低输入电容(Ciss)
- 因 Qrr 降低,开关损耗低
- 超低栅极电荷(Qg)
- 具备雪崩能量额定值(UIS)
应用领域
-电信-服务器和电信电源-照明-高强度气体放电灯(HID)-发光二极管(LED)-消费电子和计算机-ATX电源-工业-焊接-电池充电器-可再生能源-太阳能(光伏逆变器)-开关模式电源(SMPS)-采用以下拓扑的应用-LLC-移相桥(ZVS)-三电平逆变器-交直流桥
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