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SIS862DN-T1-GE3
1个N沟道 耐压:60V 电流:40A
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- 描述
- 特性：TrenchFET功率MOSFET。 100% Rg和UIS测试。 能够使用5V栅极驱动运行。应用：初级侧开关。 同步整流
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIS862DN-T1-GE3
- 商品编号
- C7316367
- 商品封装
- PowerPAK1212-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.3克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 52W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 32nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.32nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 35pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 545pF |
商品特性
- 沟槽式场效应功率MOSFET
- 100%进行Rg和UIS测试
- 能够在5V栅极驱动下工作
应用领域
- 初级侧开关
- 同步整流
- DC/DC转换器
- 升压转换器
- DC/AC逆变器