- 引脚图
- 焊盘图
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SISH434DN-T1-GE3
1个N沟道 耐压:40V 电流:17.6A 电流:35A
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SISH434DN-T1-GE3
- 商品编号
- C7316369
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 17.6A；35A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.8W；52W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 40nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.53nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 100pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- TrenchFET®功率MOSFET
- 100%进行Rg和UIS测试
应用领域
- 负载点电源(POL)
- N沟道MOSFET
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