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SISS10ADN-T1-GE3
1个N沟道 耐压:40V 电流:109A
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- 描述
- 特性：TrenchFET Gen IV功率MOSFET。 极低的Qg和Qoss可降低功率损耗并提高效率。 优化的Qg、Qgd和Qgd/Qgs比率可降低与开关相关的功率损耗。 100%进行Rg和UIS测试。应用：同步整流。 同步降压转换器
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SISS10ADN-T1-GE3
- 商品编号
- C7316375
- 商品封装
- PowerPAK1212-8S
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.146克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 109A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.65mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 4.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 18.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.03nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 52pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 550pF |
商品特性
- 沟道型场效应晶体管第四代功率 MOSFET
- 极低的栅极电荷(Qg)和输出电荷(Qoss)可降低功率损耗并提高效率
- 优化的 Qg、栅漏电荷(Qgd)以及 Qgd / 栅源电荷(Qgs)比可降低与开关相关的功率损耗
- 经过 100% 栅极电阻(Rg)和非钳位感性开关(UIS)测试
应用领域
- 同步整流
- 同步降压转换器
- 高功率密度直流/直流转换器
- 负载开关