- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SQM100N04-2M7_GE3
1个N沟道 耐压:40V 电流:100A
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SQM100N04-2M7_GE3
- 商品编号
- C7318463
- 商品封装
- TO-263(D2PAk)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.845克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 157W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 145nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.91nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 395pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- 沟槽式场效应晶体管(TrenchFET)功率MOSFET
- 低热阻封装
- 100%进行栅极电阻(Rg)和非钳位感性开关(UIS)测试
- 通过AEC-Q101认证
- SQM110N05-06L_GE3
- SQM120N04-1M7_GE3
- SQR40020ER_GE3
- NEVO+600SL-2135-DK000
- NEVO+600SL-2141-DK000
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