温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SQM110N05-06L_GE3
1个N沟道 耐压:55V 电流:110A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 特性：符合 IEC 61249-2-21 定义的无卤要求。TrenchFET 功率 MOSFET。低热阻封装。通过 AEC-Q101 认证。100%进行 Rg 和 UIS 测试。符合 RoHS 指令 2002/95/EC
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SQM110N05-06L_GE3
- 商品编号
- C7318465
- 商品封装
- TO-263(D2PAk)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.006667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 55V | |
| 连续漏极电流(Id) | 110A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6mΩ@10V,30A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 157W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 110nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.44nF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
优惠活动
购买数量
(800个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个800个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交0单