- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SQJ850EP-T2_GE3
汽车用N沟道MOSFET，采用TrenchFET技术，无卤且符合RoHS标准
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SQJ850EP-T2_GE3
- 商品编号
- C7318458
- 商品封装
- PowerPAKSO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 24A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 23mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 45W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.225nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 88pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- 符合IEC 61249 - 2 - 21定义的无卤要求
- 沟槽式场效应晶体管功率MOSFET
- 通过AEC - Q101认证
- 100%进行栅极电阻(Rg)和非钳位感性开关(UIS)测试
- 符合RoHS指令2002/95/EC
应用领域
- 高速开关应用
- SQJQ410EL-T1_GE3
- SQM100N04-2M7_GE3
- SQM110N05-06L_GE3
- SQM120N04-1M7_GE3
- SQR40020ER_GE3
- NEVO+600SL-1855-DK000
- NEVO+600SL-2014-DK000
- NEVO+600SL-2083-DK000
- NEVO+600SL-2135-DK000
- NEVO+600SL-2141-DK000
- NEVO+600SL-2200-DK000
- NEVO+600SL-2233-DK000
- NEVO+600SL-2304-DK000
- SQR22601GY
- NEVO+600SL-2318-DK000
- SQT-101-01-L-S
- NEVO+600SL-2352-DK000
- SQT-102-01-F-D
- NEVO+600SL-2411-DK000
- SQT-102-01-F-D-RA
- SQT-102-01-S-D